The site is in test mode

Articles

СПЕКТРАЛЬНАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ И ТЕМПЕРАТУРНО - НЕЗАВИСИМАЯ ВАХ pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2) x(GaP)y СТРУКТУР

SPECTRAL PHOTOSENSITIVITY AND TEMPERATURE INDEPENDENT СVC for pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2) x(GaP)y STRUCTURE

А.С. САИДОВ, У.Х. РАХМОНОВ, А.Ю. ЛЕЙДЕРМАН,

2018 (4)    Solar Engineering Materials Science

Цитировать:

А.С. САИДОВ, У.Х. РАХМОНОВ, А.Ю. ЛЕЙДЕРМАН, СПЕКТРАЛЬНАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ И ТЕМПЕРАТУРНО - НЕЗАВИСИМАЯ ВАХ pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2) x(GaP)y СТРУКТУР

solid substitutional solution, photosensitivity expansion into the short-wave region, temperature-independent CVC characteristic.

Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава выращены эпитаксиальные слои твердого раствора замещения (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y (0£х£0.01, 0£у£0.09) на pSi подложках. Исследована спектральная зависимость фоточувствительности pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2) x(GaP)y структур и обнаружены пики фотооткликов при энергиях фотонов 1.6, 1.66 и 1.92 эВ при комнатной температуре. Показано, что прямая ветвь вольтамперной характеристики стабильно сохраняет параметры в интервале температур от 20oC до 120 oC. При этом, значения «характеристической» энергии, определенные из температурно независимых ВАХ, составляют 0,33 эВ.

Физико технический институт Академии наук Республики Узбекистан

amin@uzsci.net

Количество загрузок:

0