The site is in test mode

Articles

СПЕКТРАЛЬНАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y СТРУКТУР

А.С. САИДОВ, Ш.Н.УСМОНОВ, У.Х. РАХМОНОВ,

2010 (3)    Solar Engineering Materials Science

Цитировать:

А.С. САИДОВ, Ш.Н.УСМОНОВ, У.Х. РАХМОНОВ, СПЕКТРАЛЬНАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y СТРУКТУР

Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава выращены
эпитаксиальные слои твердого раствора замещения (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y (0.1
х1, 0у0.09) на pSi подложках. Исследована спектральная зависимость фоточувствительности pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y структур и обнаружены пики фотооткликов при энергиях фотонов 1.6, 1.66 и 1.92 эВ при комнатной температуре. Показано, что прямая ветвь вольтамперной характеристики исследованных структур описывается степенной зависимостью вида - I = I0 + В·Vm с различными значениями показателя степени при различных значениях приложенного напряжения.
 

НПО “Физика-Солнце“ АН РУз Физико-технический институт
 

Количество загрузок:

62