The site is in test mode

Articles

ТЕПЛОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ PSI-N(ZNSE)1-X-Y(SI2)X(GAP)Y СТРУКТУР

А.С. САИДОВ, М.С. САИДОВ, Ш.Н. УСМОНОВ, У.Х. РАХМОНОВ,

2010 (1)    Solar Engineering Materials Science

Цитировать:

А.С. САИДОВ, М.С. САИДОВ, Ш.Н. УСМОНОВ, У.Х. РАХМОНОВ, ТЕПЛОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ PSI-N(ZNSE)1-X-Y(SI2)X(GAP)Y СТРУКТУР

Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава были изготовлены pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y (0x0.03, 0у0.09) структуры с тонким буферным слоем из твердого раствора (Si2)1-x-y(ZnSe)x(GaP)y (0x0.01, 0у0.01), расположенным в переходной области p-n- перехода. Тепловольтаический эффект, обнаруженный в такой структуре, объясняется тепло вой генерацией электронно-дырочных пар с участием изовалентных примесей ZnSe и GaP, которые вносят энергетические уровни в запрещенную зону кремния.

НПО “Физика-Солнце“ АН РУз Физико-технический институт
 

Количество загрузок:

43