The site is in test mode

Articles

ФОТОТЕРМОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В pSi-N(Si2)1-x-y(ZnSe)x(GaP)y .........

А.С. САИДОВ, М.С. САИДОВ, Ш.Н.УСМОНОВ, У.Х. РАХМОНОВ,

2013 (4)    Solar Engineering Materials Science

Цитировать:

А.С. САИДОВ, М.С. САИДОВ, Ш.Н.УСМОНОВ, У.Х. РАХМОНОВ, ФОТОТЕРМОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В pSi-N(Si2)1-x-y(ZnSe)x(GaP)y .........

Приводятся результаты получения варизонного эпитаксиального слоя (Si2)1-x-y(ZnSe)x(GaP)y и осуществление фототермовольтаического эффекта в pSi-n(Si2)1-x-y(ZnSe)x(GaP)y (0 £ х £ 0.88, 0 £ у £ 0.09) гетероструктуре при нагреве ее концентрированным солнечным излучением. Показано, что при температуре 80 °С возникающие в гетероструктуре фототермонапряжение составляет 5.8 мВ, а термонапряжение – 1.2 мВ. Сравнительно высокое значение фототермонапряжения объяснено возможностью примесного термофотоэлектрического эффекта в слое разбавленного твердого раствора, примыкающего к p-n- переходу.

Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз

Количество загрузок:

48